Выберите одно утверждение, которое лучше всего описывает поведение pnp-транзистора: 1) Ток в pnp-транзисторе обусловлен
Выберите одно утверждение, которое лучше всего описывает поведение pnp-транзистора:
1) Ток в pnp-транзисторе обусловлен только движением электронов.
2) Ток, протекающий через базу pnp-транзистора, примерно равен нулю.
3) Толщина полупроводника n-типа в pnp-транзисторе значительно меньше, чем толщина полупроводника p-типа.
4) Толщина коллектора в pnp-транзисторе значительно меньше толщины эмиттера.
24.11.2023 21:51
Описание: PNP-транзистор является типом биполярного транзистора, состоящего из трех слоев полупроводника. Эти слои называются эмиттером, базой и коллектором. При правильном подключении, транзистор может быть использован как усилитель или коммутатор сигнала.
1) Утверждение: "Ток в pnp-транзисторе обусловлен только движением электронов" - неверно. В pnp-транзисторе есть движение как дырок (положительно заряженных недостатков электронов), так и электронов. Дырки движутся от p-области к n-области, а электроны - в обратном направлении.
2) Утверждение: "Ток, протекающий через базу pnp-транзистора, примерно равен нулю" - неверно. Ток, протекающий через базу, имеет значение, но он меньше, чем ток, протекающий через эмиттер и коллектор.
3) Утверждение: "Толщина полупроводника n-типа в pnp-транзисторе значительно меньше, чем толщина полупроводника p-типа" - неверно. Толщина полупроводника p-типа больше, чем толщина полупроводника n-типа.
4) Утверждение: "Толщина коллектора в pnp-транзисторе значительно меньше толщины эмиттера" - верно. Толщина коллекторного слоя в pnp-транзисторе существенно меньше толщины эмиттерного слоя. Это позволяет создавать обедненные области на границе между эмиттером и базой, что обеспечивает функционирование транзистора.
Совет: Чтобы лучше понять поведение pnp-транзистора, рекомендуется изучить принципы работы биполярных транзисторов, особенности каждого слоя и полупроводниковую физику в целом.
Задача на проверку: Какие слои составляют pnp-транзистор? Какое направление движения электронов и дырок в этом транзисторе?