Яким чином змінюється інтенсивність струму насичення та напруга проти нього після переміщення джерела світла
Яким чином змінюється інтенсивність струму насичення та напруга проти нього після переміщення джерела світла від вакуумного фотоелемента?
16.12.2023 17:06
Після переміщення джерела світла від вакуумного фотоелемента, інтенсивність струму насичення (тобто максимальне значення струму, яке може бути досягнуто) залежатиме від інтенсивності світла, що падає на фотоелемент. Якщо інтенсивність світла збільшується, то інтенсивність струму насичення також збільшується. Це відбувається через те, що зі збільшенням інтенсивності світла більше електронів випромінюється з поверхні фотоелемента і, відповідно, більше струму генерується.
Що стосується напруги проти нього (тобто напруги, яка виникає між катодом та анодом фотоелемента), то вона залежатиме від різниці потенціалів між катодом та анодом. Якщо збільшити відстань між джерелом світла та фотоелементом, то інтенсивність світла, яка падає на фотоелемент, буде зменшуватись. Внаслідок цього, менше електронів випромінюється з поверхні фотоелемента, і напруга проти нього зменшується.
Приклад використання: Як зміниться інтенсивність струму насичення та напруга проти нього, якщо відстань між вакуумним фотоелементом і джерелом світла збільшиться вдвічі?
Рекомендація: Для кращого розуміння фотоелектричного ефекту варто дослідити різні чинники, що впливають на нього, такі як інтенсивність світла, матеріал фотоелемента та потенціал прикладеної напруги.
Вправа: Поясніть, як зміниться інтенсивність струму насичення та напруга проти нього, якщо інтенсивність світла, що падає на вакуумний фотоелемент, збільшиться вдвічі.