Какова вероятность того, что энергетические уровни, находящиеся на расстоянии 3kT выше уровня Ферми полупроводника
Какова вероятность того, что энергетические уровни, находящиеся на расстоянии 3kT выше уровня Ферми полупроводника, заняты электронами при комнатной температуре? Какова вероятность того, что валентная зона имеет содержит дырки при значении ширины запрещенной зоны Eg=1,1?
19.12.2024 14:15
Для расчёта вероятности того, что энергетические уровни, находящиеся на расстоянии 3kT выше уровня Ферми полупроводника, заняты электронами при комнатной температуре, мы можем использовать распределение Ферми-Дирака.
Распределение Ферми-Дирака описывает вероятность занятости энергетических уровней фермионами (такими как электроны) при данной температуре. Для электронов вероятность занятости уровня энергии E определяется следующей формулой:
f(E) = 1 / (1 + e^((E - EF) / (kT)))
где EF - уровень Ферми полупроводника, k - постоянная Больцмана, T - температура в кельвинах.
Для нашего случая, где энергетические уровни находятся на расстоянии 3kT выше уровня Ферми, мы можем подставить E = EF + 3kT в формулу и рассчитать вероятность занятости такого уровня.
Дополнительный материал:
Пусть EF = 1 eV (электрон-вольт), k = 8,6173 × 10^(-5) эВ/К (электрон-вольт на кельвин), T = 300 К.
Тогда мы можем использовать эти значения для расчета вероятности занятости энергетического уровня, находящегося на расстоянии 3kT выше уровня Ферми.
Совет:
Для лучшего освоения этой темы рекомендуется ознакомиться с распределением Ферми-Дирака и его применением в полупроводниках. Понимание основных понятий, таких как уровень Ферми, энергетические уровни и вероятность занятости, поможет лучше освоить эту тему.
Задача на проверку:
При EF = 2 эВ, k = 8,6173 × 10^(-5) эВ/К и T = 400 К, рассчитайте вероятность занятости энергетического уровня, находящегося на расстоянии 3kT выше уровня Ферми.